Ежедневные горячие новости

Физики из России открыли «эффект памяти» в одноэлектронных транзисторах

Совместный научный проект российских и американских физиков позволил открыть «эффект памяти», присутствующий в одноэлектронных транзисторах. Подобного рода достижение может в дальнейшем лечь в основу улучшенных запоминающих устройств.
 

 

Информация об исследовании появилась сразу в нескольких научных журналах. Как известно, одноэлектронные транзисторы представляют собой транзисторы, в основу концепции которых входит возможность получения заметных изменений в напряжении при активной манипуляции с отдельными их электронами. Исследования заняли достаточно много времени. Представители России и США на протяжении определенного периода изучали электросвойства транзистора, что в итоге привело из к определенному результату. Оказывается, конденсаторы, которые образовались из электродов и входят в состав одноэлектронных транзисторов, могут иметь «эффект памяти». Последний связан с некой временной поляризацией диэлектрика, при этом при правильном подборе материалов процесс можно наблюдать даже при комнатной температуре.
 

Авторы и участники исследования уверены, что их небольшое открытие сможет оказать значительную помощь в процессе создания работающих моделей запоминающих устройств, в основу которых лягут как раз таки одноэлектронные транзисторы, это в свою очередь позволит несколько расширить имеющиеся теоретические представления о происходящей в них активности..

Источник: svopi.ru